分子線エピタキシー装置
本装置は、分子線エピタキシー装置(MBE: Molecular Beam Epitaxy)装置と呼ばれ、宇宙環境に匹敵する超高真空下において10種類までの元素を原子の厚さで高精度に制御し作製することが可能であり、新しい人工構造物質を創製するために有用である。成長中の薄膜の構造評価、1原子層制御のために反射高速電子線回折(RHEED: Reflection High Energy Electron Diffraction)装置、また低温のクヌーセンセル(K-セル)が最大10本搭載可能である。本装置は半導体の生産機として用いられていた経緯が有るが、使いこなすには忍耐力と継続力と夢が必要である。
形式
V-80H((株)VG semicon社製)
仕様および性能
- 成膜室到達真空度:≤1.0E-8Pa(超高真環境下で試料作製)
- 構成:成膜室および準備室の2室構成
- インラインマニピュレーター
- 蒸着源:K−セルx 10
- 反射高速電子線回折(RHEED)搭載
- 基板が最大20枚準備室にストック可能で大気の暴露なく連続成膜が可能
- 四重極質量分析計(Q-mass)搭載
- 超高真空対応油拡散ポンプ仕様