設備紹介

超高真空スパッタ装置

 装置は、試料交換室とスパッタ成膜室の2室構成であり、試料の交換はロードロックを用いて行う。これによりスパッタ成膜室の真空度を保ったまま基板交換が可能である。また、マグネトロン方式のスパッタカソードが8個(DC x5、RF x 3)が搭載され、任意の順序による多層膜の作製、また同時成膜により組成を制御した合金膜の作製を大気の暴露無く行うことが可能である。試料交換室は、ロータリーポンプ(RP: Rotary Pump)で予備排気をした後、ターボ分子ポンプ(TMP: Turbo Molecular Pump)で排気することにより試料交換が可能な5×10-5 (Pa)以下の真空度に到達する。この試料交換室は、5段のカセット式の基板ホルダーを装備しており、一度に最大5枚の基板を装填する事が可能である。


スパッタ成膜室はRPで予備排気をした後、TMPで排気しながら真空チャンパを加熱し(ベーキング)内壁の脱ガスを十分に行う事により超高真空を得る。さらに、チタンサブリメーションポンプ(TSP: Titanium Sublimation Pump)を用いる事で、冷却後は3×10-7 (Pa)以下の真空度に到達する。真空度は、超高真空域においては電離真空計を用いArガス導入後はダイアフラム真空計により確認する。

形式

MPS−2000−C8((株)アルバック社製)

仕様および性能

  1. 成膜室到達真空度:≤3.0E-8Pa(超高真環境下で試料作製)
  2. 構成:成膜室および準備室の2室構成(ロードロック仕様)
  3. 基板加熱温度:最高800℃
  4. スパッタ源:2インチマグネトロンカソードx8
  5. 反射高速電子線回折(RHEED)搭載
  6. 基板が最大5枚準備室にストック可能で大気の暴露なく連続成膜が可能
  7. 四重極質量分析計(Q-mass)搭載
  8. プログラミング可能なシャッタ−開閉機構により自動成膜が可能
  9. ターボ分子ポンプ仕様(磁気浮上型、排気速度1,000L/S)